Методики испытаний фоторезиста МПФ-ВЩ

1. Методика определения эффективности времени экспонирования.

2. Определения толщины светочувствительного слоя.

3. Определение разрешающей способности.


1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВРЕМЕНИ ЭКСПОНИРОВАНИЯ

 

1   ОБОРУДОВАНИЕ, ИНСТРУМЕНТ, СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ И МАТЕРИАЛЫ

1.1   Установка для нанесения фоторезиста валкового типа (ламинатор).

1.2   Установка для проявления струйного типа.

1.3   Установка для экспонирования, работающая в диапазоне волн длиной 320-420 нм, с точечным источником света.

1.4   Установка гидроабразивной зачистки.

1.5   Термостат.

1.6   Секундомер.

1.7   Термометр.

1.8   Микроскоп стереоскопический.

1.9   Весы лабораторные.

1.10        Фотошаблон на стекле или полиэтилентерефталатной основе с набором линий и промежутков между ними шириной от 50 до 150 мкм. Оптическая плотность чёрных полей на фотошаблоне должна быть не менее 2,50, а пробельных участков – не более 0,18.

1.11        Стеклотекстолит или гетинакс фольгированный (заготовка).

1.12        Синтанол ДС-10.

1.13        Кислота серная.

1.14        Кислота соляная.

1.15        Сода кальцинированная, 1-2% раствор (проявитель).

1.16        Бумага фильтровальная.

 

2   ПОДГОТОВКА К ИСПЫТАНИЮ

2.1 Приготовление раствора очистителя

Для проведения испытаний готовят раствор следующего состава:

1)     синтанол ДС-10, г       2,5±0,1

2)     кислота серная, мл      55,0±0,5

3)     вода холодная, мл       до 1000

2.2 Подготовка заготовки

Для проведения испытаний поверхность заготовки обрабатывают в установке гидроабразивной зачистки с последующей промывкой холодной проточной водой, декапированием 10%-ным водным раствором серной или соляной кислоты, повторной промывкой проточной водой и сушкой воздухом. Скорость конвейера 0,01-0,04 м/с.

При подготовке поверхности очистителя заготовки обрабатывают в декапирующем растворе в течение 10-15 с последующей промывкой проточной водой, а затем очистителем в течение 1-2 мин. После этого заготовки вновь промывают проточной водой, затем обрабатывают в декапирующем растворе, как указано выше, и промывают проточной водой.

Хорошо очищенная поверхность заготовки должна удерживать плёнку воды под углом 60оС в течение 30 с.

После промывки заготовки сушат очищенным сжатым воздухом или в термостате при температуре 70-80оС в течение 1-2 мин.

2.3 Нанесение фоторезиста (ламинирование).

Нанесение фоторезиста на подготовленную поверхность заготовки производят на валковом ламинаторе при температуре нагревательных элементов 110±5оС со скоростью 0,3-1,0 м/мин на не подогретую заготовку. Во время нанесения защитная полиэтиленовая пленка удаляется. Открытый светочувствительный слой с полиэтилентерефталатной основой наслаивают на чистые заготовки прижимными валиками.

Допускается нагревать заготовки до 60-100оС.

После нанесения (ламинирования) заготовки с фоторезистом выдерживают в течение не менее 20 мин в помещении с неактиничным (жёлтым) освещением или в темноте для увеличения адгезии фоторезиста к подложке.

Затем обрезают фоторезист по контуру заготовки режущим инструментом, не допуская отслоения полиэтилентерефталатной основы.

 

3   ПРОВЕДЕНИЕ ИСПЫТАНИЯ

3.1 Экспонирование

Экспонирование заготовок с нанесённым фоторезистом осуществляют на установках с точечным источником света через фотошаблон. Проявление ведут в струйной установке. Образцы проявляют 1-2% раствором кальцинированной соды при температуре проявителя 18-25оС.

Определяют время растворения неэкспонированного светочувствительного слоя в проявителе. Оптимальное время проявления должно превышать на 50-100% время полного удаления светочувствительного слоя с неэкспонированной заготовки.

Проэкспонированные образцы проявляют на установке с оптимальным временем проявления. Затем образцы промывают проточной водой в течение 30 с, обрабатывают 5%-ным раствором серной или соляной кислоты с последующей тщательной промывкой проточной водой и сушкой очищенным сжатым воздухом или фильтровальной бумагой.

 

4  ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

На проявленных образцах при помощи измерительного микроскопа измеряют ширину линий и пробельных участков полученного защитного рельефа.

Время экспонирования, при котором получено минимальное отклонение ширины линий защитного рельефа (не более 1%), по сравнению с шириной соответствующих линий считают оптимально эффективным для данного фоторезиста.

 

 

2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ

 

1 ОБОРУДОВАНИЕ, ИНСТРУМЕНТ, СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ И МАТЕРИАЛЫ

1.1 Линейка металлическая измерительная.

1.2 Оптический измерительный прибор.

 

2. ПОДГОТОВКА К ИСПЫТАНИЮ

См. в методике определения эффективности времени экспонирования

 

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИСПЫТАНИЯ

Оптическим измерительным прибором проводят измерения толщины вдвое сложенного образца фоторезиста со стороны полиэтилентерефталатной основы через каждые 5 см, причём первая и последняя точки должны отстоять от края кромки на 3 см.

 

4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

Толщину светочувствительного слоя (t) в мк вычисляют по формуле

t=(d1+d2)/2,  где

d1 - толщина вдвое сложенного образца фоторезиста без защитной плёнки, мк

d2 - толщина вдвое сложенной полиэтилентерефталатной основы, мк

За результат испытаний принимают среднее арифметическое значение всех измерений.

 

 

3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ

 

1   ОБОРУДОВАНИЕ, ИНСТРУМЕНТ, СРЕДСТВА КОНТРОЛЯ И МАТЕРИАЛЫ

1.1   Фотошаблоны с шириной линий и пробельных участков 100, 120 мм.

1.2  Средства контроля см. в методике определения эффективности времени экспонирования.

 

2  ПОДГОТОВКА К ИСПЫТАНИЮ

См. в методике определения эффективности времени экспонирования.

 

3   ПРОВЕДЕНИЕ ИСПЫТАНИЯ

На подготовленный фольгированный текстолит наносят фоторезист, экспонируют через фотошаблон в течение эффективного времени и проявляют на струйной установке в течение оптимального времени.

При помощи измерительного микроскопа измеряют ширину проявленных линий. Отклонение по ширине проявленных линий на защитном рельефе от их размеров на фотошаблоне не должно превышать ±10 мкм.

 

4  ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

Ширину минимально воспроизводимой линии (пробельного участка), полученной с помощью фоторезиста с указанным предельным отклонением на заготовке, принимают за разрешающую способность фоторезиста.